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Titre : | Etudes des paramètres et simulation des propriétés des semi-conducteurs II-VI pour l’optoélectronique |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | univ DR taher moulay saida, 2019 |
ISBN/ISSN/EAN : | TECT02634 |
Format : | 105p / ill / 29cm |
Note générale : |
Chapitre I : Propriétés des matériaux II-VI Chapitre II : Méthodes de calcul Chapitre III : Etude des composés BaSe 1-x Te x Chapitre IV : Etude des composés MgO 1-x Se x |
Langues: | Français |
Résumé : |
En utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisées (FP-LAPW) nous avons étudiés les propriétés physiques (structurales, élastiques, électroniques et optiques) des semiconducteurs de la famille II-VI (BaSe, BaTe, MgO et MgSe) ainsi que leurs alliages ternaires BaSe 1-x Te x et MgO 1-x Se x , en fonction de la variation de la concentration molaire x de Tellure (Te) et de Sélénium (Se). L’approximation de la densité locale LDA, l’approximation du gradient généralisé GGA-PBE et l’approximation du gradient généralisée améliorée GGA-PBEsol de Perdew et al ont été utilisés pour traiter le potentiel d'échange et de corrélation. Pour les propriétés électroniques et optiques, nous avons fait appel à l’approche TB-mBJ de Peter Blaha et Tran. Les résultats obtenus telles que le paramètre de maille, module de compressibilité et le gap énergétique des composés binaires sont en bon accord avec les résultats expérimentaux et théoriques disponibles. Pour les alliages ternaires, nos résultats sont prédictifs et peuvent être de bonnes références pour de futurs travaux expérimentaux. |
Exemplaires (1)
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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TECT02634 | T.EN.DOC00006 | Périodique | Ouvrages | 28 | Libre accès Disponible |