| Titre : | Etude des propriétés électroniques et magnétiques de AlP dopé par Mn |
| Auteurs : | BOUTALEB.M, Directeur de thèse ; Bessafi.Y, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Alger: univ-saida, 2015 |
| Format : | 50 p. / figure;tableau / 27 cm. |
| Note générale : | bibliographie |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Mots-clés: | Physique ; Etude des propriétés électroniques/ magnétiques / AlP dopé par Mn |
| Résumé : |
D ans ce travail, et à l’aide de la méthode des ondes planes augmentées et linéarités FP-LAPW basée sur la théorie DFT, implémentée dans le code Wien2k. Les simulations de type ab-initio pouvaient venir compléter, voire même se substituer aux données expérimentales. Les calculs théoriques sont en mesure d’apporter un appui à l’expérience enconfirmant des hypothèses ou en apportant une interprétation fondamentale à un phénomène concret. Nous avons étudié les propriétés structurales, électroniques et magnétiques des semi-conducteur III-V nous nous intéressant au phosphure d’aluminium AlP et son ternaire Al 1-x Mn x P, la concentration de l’impureté en métal de transition est fixée à 0.25.D ans la première partie de ce mémoire nous avons réalisé un calcul sur lastructure binaire pour déterminer diverses propriétés de semi-conducteur AlP.Les paramètres de maille, le module de compressibilité ainsi que sa dérivée parrapport à la pression qui ont montré une bonne concordance avec les données expérimentales.L es valeurs prédites de ces paramètres avec l’approximation GGA-WC sont plus proches aux valeurs expérimentales que les autres approximations(GGA-PW et GGA-PBE), nos calculs sur cette structure binaire AlP montre un grande cohérence avec d’autres résultats théoriques ([3, 4, 5...] sur le même matériau. Nos calculs montrent que le semi-conducteur AlP présente un gap indirect, et que sa valeur en gap reste une très bonne estimation avec ceux que d’autres travaux.O n s’intéresse à la structure ternaire qui représente le semi-conducteur dilué Al 0.75 Mn 0.25 P, l’introduction de l’impureté de manganèse à 25% dans la structure mère à modifié totalement les propriétés physiques et électroniques de ce matériau. Nous avons réussi à estimé les propriétés structurales de nouveau matériau DMS, le paramètre de maille a et le module de compressibilité B et son 49Conclusion générale premier dérivé B’. Ces paramètres structurales sont en bon argument avec se qui est présenté dans la littérature comme travaux théoriques. L’insertion de Mn a la place de l’aluminium est acquis ceci est justifié par l’admission du l’environnement tétraédrique de l’orbital d du manganèse. N ous avons montré que le matériau ternaire présente un caractère demi-métallique car il est conducteur dans la région des spins majoritaires et il est semi-conducteur dans la région des spins minoritaires. N otre travail montre aussi de nouvelles propriétés magnétiques qui caractérisent le Al 0.75 Mn 0.25 P, la totalité de l’effet magnétique est apparaître à partir de l’atome de métal de transition. Alors le semi-conducteur dilué à base d’Aluminium est un matériau magnétique avec spin polarisé à 100%.L e matériau présenté dans ce modeste travail présente un grand potentiel en tant que semi-conducteur magnétique dilué, ce qui lui confère la particularité d’être très favorisé comme un candidat pour des applications dans le domaine de la spintronique |
| Note de contenu : |
I Semi-conducteurs III-V à base de l’Aluminium 2 Méthodes de calcul 3 Résultats et interprétations |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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| aucun exemplaire |
