| Titre : | Prédiction des propriétés structurales et électroniques de phosphure d’indium dopé en manganèse |
| Auteurs : | BOUTALEB.M, Directeur de thèse ; Bouanani.Melouka, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Alger: univ-saida, 2017 |
| Format : | 56 p. / fig.;tab. / 27 cm. |
| Note générale : | bibliographie |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Physique ; FP-LAPW, InP, Demi-métallique |
| Résumé : | Dans ce travail, nosprédit les propriétés structurales, électroniques decomposé phosphure d‟indium à la concentration X=0 ,25 dans la structure zinc blende,on utilisant la théorie fonctionnelle de la densité (DFT) et la méthode des planes augmentées linéarisée (FP-LAPW) avec l‟approximation de gradient généralisé (GGA). Les densités d‟états électroniques et les structures des bandes du composé |
| Note de contenu : |
Chapitre I : Matériaux semi-conducteur Chapitre II : méthodes du calcul Chapitre III : Résultas du calcul et interprétations |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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| aucun exemplaire |
