| Titre : | Etude de l’effet de l’insertion de Vanadium dans le Phosphure de Galium (GaP). |
| Auteurs : | BOUTALEB.M, Directeur de thèse ; GUERROUDJ. ASMAA, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Alger: univ-saida, 2017 |
| Format : | 51 p. / fig.;tab. / 27 cm. |
| Note générale : | bibliographie |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Physique ; DMS, DFT, spintronique, Gap, demi-métallique |
| Résumé : |
Le travail présenté dans le cadre de ce mémoire concerne l’utilisation de la théorie de la fonctionnelle de la densité pour déterminer les propriétés structurales, électroniques et magnétiques des nouveaux matériaux Ga1-xVxP dans la concentration 0.25 et 0.125 de vanadium. Il est constitué essentiellement de trois parties distinctes: La première partie : une description du matériau semi-conducteur III-V a base de vanadium, et le spintronique et leur DMS. La deuxième partie : Présentation de la théorie de la fonctionnelle de la densité DFT, ainsi que le principe de la méthode « FP-LAPW » implémenté sur le code Wien2k. La troisième partie : comporte toutes les interprétations des propriétés structurales, électroniques et magnétiques de la structure binaire et des composés ternaires de Ga1-x Vx P à la concentration 0.25 et 0.125 de vanadium, nous constatons que nos matériaux sont demi-métalliques ferromagnétiques et qu’ils induisent un moment magnétique total égales à 2ub. |
| Note de contenu : |
Chapitre I :(Semi-conducteurs III-V à base de Gallium) Chapitre II :(Méthodes de calcul) Chapitre III :(Résultats et interprétations) |
Exemplaires
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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| aucun exemplaire |
