Titre : | Investigation des propriétés électroniques et magnétiques des semiconducteurs magnétiques dilués des composés à base de BaTe |
Auteurs : | DOUMI .Bendouma, Directeur de thèse ; BERRIAH .Khelifa, Auteur |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | université Dr mouley tahar, Faculté de Science, Saida, Algerie : Alger: univ-saida, 2018 |
Format : | 80 p. / fig.;tab. / 27 cm. |
Note générale : | bibliographie |
Langues: | Français |
Mots-clés: | Physique ; DFT, BaTe substitué au Cr, Potentiel TB-mBJ, Demi-métallique Ferromagnétique,Gap demi-métallique, Electronique de spin |
Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié les propriétés structurales, le comportement ferromagnétique demi-métallique et les structures électroniques améliorées du matériau BaTe substitué au Cr tels que les composés les composés Ba1-xCrxTe aux concentrations x = 0.25, 0.5 et 0.75, par l’utilisation des calculs de premier principe de la théorie de la fonctionnelle de densité. Nous avons trouvé que les structures électroniques révèlent un caractère demimétallique ferromagnétique avec une polarisation de spin de 100% autour du niveau de Fermi. D’autre part, les bandes des spins minoritaires pour toutes les concentrations montrent des gaps demi-métalliques ferromagnétiques (DMF) et des gaps demi-métalliques (DM). Les gaps DMF et DM trouvés par le potentiel TB-mBJ sont améliorés par rapport aux résultats de l'approximation GGA-WC. Par conséquent, les composés Ba1-xCrxTe avec des larges gaps demi-métalliques sont des candidats potentiels pour l’utilisation dans les applications de l’électronique de spin. |
Note de contenu : |
1 Semiconducteurs Magnétiques Dilués DMS 2 Théorie de la Fonctionnelle de la Densité DFT 3 Résultats et interprétations |
Exemplaires
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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aucun exemplaire |