Titre : | Etude des propriétés structurale, électronique et élastique du dinitrure de silicium SiN 2 dans la phase pyrite |
Auteurs : | ZEMOULI .MOSTAFA, Directeur de thèse ; MEBKHOUT .OMAR, Auteur |
Type de document : | texte imprimé |
Editeur : | Alger: univ-saida, 2014 |
Format : | 59 p. / figure / 27 cm. |
Note générale : | bibliographie |
Langues: | Français |
Langues originales: | Français |
Mots-clés: | Physique ; Etude des propriétés structurale/ électronique / élastique du dinitrure de silicium . |
Résumé : |
on a étudié la structure cristalline, la structure bandes et les constantes élastiques du nitrure de silicium dans les structures de type pyrite en utilisant des calculs premiers principes basés sur la théorie de la fonctionnelle de la densité et dans le cadre de l’approximation GGA-PBE-Sol. La constante de réseau calculé est en bon accord avec les résultats existants. Le matériau a un gap indirect.La structure électronique de est régie par trois types de liaisons différentes. Chevauchement des états Si s et p orbitales avec les N états 2p conduisant à la formation de bandes liante et antiliantes, qui donnent naissance à des groupes bandes de valence et de conduction, respectivement. Dans les deux groupes, les états dérivés du Si se trouvent à la limite de la bande inférieure. Le fort couplage au sein des paires donne naissance à un troisième type de liaison, à savoir le chevauchement du type et le type des états N 2p.Les valeurs des constantes élastiques calculées montrent bien que notre matériau est mécaniquement stable et que est un matériau très dure |
Note de contenu : |
1 La théorie de la fonctionnelle de densité 2 La Méthode (pseudo potentiel) 3 la propriété structurale, électronique, et élastique |
Exemplaires (2)
Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
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SCT00974 | TPHMS00036 | Livre | Magasin des Ouvrages | inconnu | Libre accès Disponible |
SCT00975 | TPHMS00037 | Livre | Magasin des Ouvrages | inconnu | Libre accès Disponible |