| Titre : | Calcul de la structure électronique de composé CuAlS 2 par la méthode des liaisons fortes |
| Auteurs : | Kouidri.s, Directeur de thèse ; TABTI. Messaoud, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Alger: univ-saida, 2014 |
| Format : | 52 p. / figure;tableau / 27 cm. |
| Note générale : | bibliographie;refe. |
| Langues: | Français |
| Langues originales: | Français |
| Mots-clés: | Physique ; Calcul de la structure électronique / composé CuAlS / méthode des liaisons fortes. |
| Résumé : |
Les semi conducteurs I-III-VI 2 et leurs alliages correspondants, occupent actuellement une position privilégiée dans plusieurs domaines d’applications avec un grand coiffécion d’absorption et une super structure cristallographique. les semi-conducteurs à structure chalcopyrite, de la famille Cu (In, Ga, Al) (Se, S) 2 , sont des candidats intéressants pour le but d'élargir le spectre d'absorption des cellules solaires photovoltaïques et d'ainsi augmenter leur rendement, et d'élargir la gamme de photons par mes ces chalcopyrite ternaire semi conducteur on étudiée dans ce mémoire la structure électronique de composé CuAlS 2 par la méthode des liaisons fortes Le ternaire chalcopyrite CuAlS2 avec une large bande interdite a attiré beaucoup l’attention comme un matériau prometteur pour des applications en optique linéaires et non linéaires. .Le matériau massif CuAlS 2 est l’un des semi-conducteurs cristallisés dans la structure chalcopyrite du groupe d’espace I -42d (D 12) ayant quatre formules en chaque cellule d’unité. CuAlS 2 est un ternaire analogue d’une structure diamant et essentiellement d’un super-réseau (ou super structure) de zinc blende, où le é atome de ces composés ternaires est au centre d’un tétraèdre formé par ses quatre atomes voisins avec un gap direct (3.5 eV) L’objectif principal de ce mémoire est d’étudier les propriétés électroniques et densité d’état des composés ternaires du semi conducteurs I-III-VI à base de CuAlS 2 en utilisant la méthode des liaisons fortes empirique développée dans la base Spd de Vogl et la loi d’échelle d’Harrison qui décrit la variation de l’interaction des paramètres du des liaisons fortes avec la distance interatomique Bien que la méthode des liaisons fortes avec son modèle Spd représente l’état de l’art des calculs des propriétés electroniques et optiques des nanostructures à base de semi-conducteurs Cette méthode consiste à partir d’une base d’orbitales atomiques (dans la pratique, des orbitales de Slater) dotée de paramètres d’écrantage ajustables et de mettre en œuvre une procédure d’orthogonalisation de Löwdin pour obtenir une base de projection de l’Hamiltonien des liaisons fortes. Ensuite, nous avons utilisé une procédure d’optimisation pour ajuster les paramètres d’écrantage de la base de départ de telle sorte que les propriétésoptiques calculées à partir de l’Hamiltonien des liaisons fortes et celles calculées à partir des fonctions d’onde coïncident |
| Note de contenu : |
I Déférents méthodes de calcul de la structure électronique II Méthode des liaisons fortes III Résultats et discussions |
Exemplaires (2)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| SCT00980 | TPHMS00042 | Livre | Magasin des Ouvrages | inconnu | Libre accès Disponible |
| SCT00981 | TPHMS00043 | Livre | Magasin des Ouvrages | inconnu | Libre accès Disponible |
