| Titre : | L'etude de l'influence des paramètres technologiques sur la caractèristique I(V) d'une photodiode PIN en SI |
| Auteurs : | Chachou imane, Auteur ; Boukhalfa malika, Directeur de thèse ; Baddiar hanane, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Algerie: univ saida - Dr.moulay tahar, 2016 |
| Format : | 65 p / figure,tableau / 29 cm |
| Accompagnement : | CD |
| Note générale : | bibliographie |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Electronique ; semi-conducteurs, jonction PN, photocourant, photodiodes PIN. |
| Résumé : |
Dans notre étude, nous nous intéressons aux photodiodes à base de silicium, principalement les photodiodes PIN. Ce travail est une simulation basée sur le logiciel PC1D qui permet d’étudier les paramètres technologiques qui influent sur la photodiode PIN principalement sur la caractéristique I(V). Nous avons pris en considération les deux parties les plus influentes d’un point de vue du fonctionnement d’une photodiode : la région frontale et la région intrinsèque. Dans ces régions, il s’agit de faire varier, le dopage et l’épaisseur de la région frontale, la durée de vie des porteurs de charges, le dopage et l’épaisseur de la région intrinsèque, la surface du composant. Sachant que le photocourant a été indépendant des variations au niveau de la région frontal par contre il a subit des changements remarquables quand nous avons varié au niveau de la région intrinsèque vue à l’intérêt de cette zone pour avoir une photodiode plus sensible. |
| Note de contenu : |
-introduction -gènèralitè sur les semi-condicteur -jonction PN -la photodiode -simulation & interprètations -conclusion |
Exemplaires (2)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| TECT04552 | T.EN.MS00340 | Périodique | Ouvrages | 28 | Libre accès Disponible |
| TECT04553 | T.EN.MS00341 | Périodique | Ouvrages | 28 | Libre accès Disponible |
