| Titre : | Etude théorique d’un Transistor HEMT AlGaN/GaN |
| Auteurs : | mokadem nabila, Auteur ; Mr .Djellouli Bouaaza Mr .Djellouli Bouaaza, Directeur de thèse ; berroukeche amel, Auteur |
| Type de document : | texte imprimé |
| Editeur : | Algerie: univ saida - Dr.moulay tahar, 2016 |
| Format : | 42 p / Figures & tableaux / 29 cm |
| Accompagnement : | CD |
| Note générale : | Bibliographie |
| Langues: | Français |
| Mots-clés: | Electronique ; GaN, AlGaN, caractéristique électrique, Transistor HEMT, MODFET, simulation analytique. |
| Résumé : |
Nous avons exposé dans ce mémoire les résultats de simulation des caractéristiques des transistors HEMTs à base de AlGaN/GaN afin de prédire des composants performants avec les paramètres physiques et géométriques les plus optimaux.. Dans le premier chapitre, nous avons rappelé le principe de base d’un transistor à haute mobilité HEMT qui consiste à mettre à profit les propriétés de haute mobilité d’un gaz d’électron bidimensionnel 2DEG à partir de la séparation physique des électrons libres, des donneurs ionisés dont ils proviennent. Dans le deuxième chapitre, nous avons présenté les nitrures de gallium, ses propriétés structurales, électriques et électroniques, ainsi que les substrats utilisés pour la croissance de ce matériau. Dans le troisième chapitre nous avons simulé les caractéristique courant-tension I-V des transistors HEMT à base d’AlGaN/GaN en analysant l’influence de la fraction molaire x, l’épaisseur de la couche barrière AlGaN dopée et la largeur de grille. Nous avons remarqué que lorsque la fraction molaire augmente, il y a une augmentation dans la densité du courant de drain .Les résultats de la simulation ont montré l’effet des différents paramètres technologiques sur le courant. L’optimisation faite sur ces paramètres peut mener à un meilleur fonctionnement du transistor HEMT de type AlGaN/GaN. |
| Note de contenu : |
Introduction générale Chapitre I transistor HEMT Chapitre II Propriétés Générales Du Nitrure De Gallium Chapitre III Résultat et simulation Conclusion générale |
Exemplaires (2)
| Code-barres | Cote | Support | Localisation | Section | Disponibilité |
|---|---|---|---|---|---|
| TECT04548 | T.EN.MS00344 | Périodique | Ouvrages | 28 | Libre accès Disponible |
| TECT04549 | T.EN.MS00345 | Périodique | Ouvrages | 28 | Libre accès Disponible |
